Back-Gate-MOS-Struktur

MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back-gate MOS structure vok. Back-Gate-MOS-Struktur, f; MOS-Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП-структура с нижним затвором, f pranc. structure MOS à grille inférieure, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • back-gate MOS structure — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à grille inférieure — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOP darinys su apatine užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure MOS à grille inférieure, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МОП-структура с нижним затвором — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

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